igbt的主要参数有哪些?
1、静态参数:饱和压降(VCEsat)1~3V,主极漏流(ICESS) 1~7mA,门槛电压(VGEth) 3~6V,门极漏流(VGESS)100~400nA,续流二极管压降(VF) 1~3V。动态参数:开启时间 (ton) 400nS,关断时间(toff) 400ns,。
2、IGBT的主要参数集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断,其电压不可超过UGE。